如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。