判斷題從電路原理受控源的角度本質(zhì)上看,工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質(zhì)等效為電壓控制電流源。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題