IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。