下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。