CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。