摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

常壓的硅外延方法有（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。