硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。