硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）