多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。