下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。