填空題根據(jù)不同的擊穿機(jī)理，PN結(jié)擊穿主要分為（）和隧道擊穿這兩種電擊穿。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題