A、因素分析法
B、統(tǒng)計(jì)法
C、加權(quán)比例法
D、非統(tǒng)計(jì)法
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A、強(qiáng)度等級(jí)相同
B、強(qiáng)度試驗(yàn)齡期相同
C、砼生產(chǎn)工藝條件基本相同
D、砼配合比基本相同
A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時(shí)間應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
D、砼坍落度的取樣檢驗(yàn)頻率與砼強(qiáng)度檢驗(yàn)相同
A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個(gè)檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個(gè)檢驗(yàn)批
B、來(lái)源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個(gè)檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時(shí)施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個(gè)單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級(jí)的50%時(shí),方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時(shí),不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過(guò)程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。