A、同一工程、同一配比、采用同一批次水泥和外加劑的砼的凝結(jié)時間應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
B、同一工程、同一配比的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
C、同一工程、同一配比、采用同一批次海砂的砼的氯離子含量應(yīng)至少檢驗(yàn)1次
D、砼坍落度的取樣檢驗(yàn)頻率與砼強(qiáng)度檢驗(yàn)相同
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A、不同批次或非連續(xù)供應(yīng)的不足一個檢驗(yàn)批量的砼原材料應(yīng)作為一個檢驗(yàn)批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗(yàn)合格的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
C、散裝水泥應(yīng)按每500噸為一個檢驗(yàn)批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項(xiàng)目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗(yàn)批量擴(kuò)大一倍
A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時,構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時,應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護(hù)階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
PN結(jié)的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
硅片拋光在原理上不可分為()