A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
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A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時(shí),構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時(shí)間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時(shí),應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
A、澆水濕潤(rùn)養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評(píng)定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時(shí),宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時(shí),應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時(shí)間段交替泵送不同強(qiáng)度等級(jí)砼時(shí),輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級(jí)砼
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列是晶體的是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。