A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
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A、澆水濕潤養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時(shí),宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時(shí),應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時(shí)間段交替泵送不同強(qiáng)度等級砼時(shí),輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級砼
A、炎熱天氣時(shí),砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時(shí),宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場溫度高于35℃時(shí),宜對金屬模板進(jìn)行澆水降溫,但不得留有積水
D、現(xiàn)場溫度高于35℃時(shí),宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
A、采用機(jī)動翻斗車或手推車運(yùn)輸砼時(shí),道路應(yīng)整平
B、采用攪拌罐車運(yùn)輸砼時(shí),卸料前應(yīng)采用快檔旋轉(zhuǎn)攪拌罐不少于20s
C、因運(yùn)輸時(shí)間長造成拌合物流動度損失過大時(shí),可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時(shí),砼運(yùn)輸應(yīng)保證砼連續(xù)泵送
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
硅片拋光在原理上不可分為()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()