A、采用機動翻斗車或手推車運輸砼時,道路應(yīng)整平
B、采用攪拌罐車運輸砼時,卸料前應(yīng)采用快檔旋轉(zhuǎn)攪拌罐不少于20s
C、因運輸時間長造成拌合物流動度損失過大時,可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時,砼運輸應(yīng)保證砼連續(xù)泵送
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A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時,拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強度評定應(yīng)符合設(shè)計要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強砼的坍落擴展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
改良西門子法的顯著特點不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法