A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時(shí)間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時(shí),拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計(jì)一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強(qiáng)度評定應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動(dòng)
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強(qiáng)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實(shí)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時(shí)損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時(shí),砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。