A、不同批次或非連續(xù)供應的不足一個檢驗批量的砼原材料應作為一個檢驗批
B、來源穩(wěn)定且連續(xù)三次檢驗合格的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
C、散裝水泥應按每500噸為一個檢驗批
D、同一廠家的同批出廠,用于同時施工且屬于同一工程項目的多個單位工程的砼原材料可將檢驗批量擴大一倍
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A、砼強度達到設計強度等級的50%時,方可撤除養(yǎng)護措施
B、砼受凍前的強度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時,不得采用澆水自然養(yǎng)護
D、模板和保溫層應在砼冷卻到5℃方可拆除
A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護過程應進行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、當表面與外界溫差不大于20℃時,構件方可出池或撤除養(yǎng)護措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護時,應分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、養(yǎng)護坑濕熱養(yǎng)護
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護
A、澆水濕潤養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、冬季蓄熱養(yǎng)護
D、噴涂養(yǎng)護劑養(yǎng)護
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
PN結的基本特性是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()