試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

版圖設計的基本前提是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

什么是MOS器件的體效應？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。