什么是MOS器件的體效應？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。