圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS器件存在哪些二階效應？

材料根據流經材電流的不同可分為三類（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

集成電路電阻可以通過（）產生。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。