微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.04.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題計算掃描光刻機的分辨率，假設(shè)波長是248nm， NA=0.65， K是0.6。

參考答案：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/NA

2.問答題畫出N型半導(dǎo)體的能帶圖和P型半導(dǎo)體的能帶圖。

3.填空題離子注入機的對Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

參考答案：BF₃；PH₅；AsH₅；SiH₄

4.問答題列出4種曝光技術(shù)，并說明那種分辨率最高，說明各種曝光技術(shù)的優(yōu)缺點。

參考答案：1、接觸式曝光：分辨率較高，可在亞微米范圍內(nèi)。接觸時的微粒會在晶圓上產(chǎn)生缺陷，光刻版的壽命也會減短。
2、接近...

5.問答題簡述制造半導(dǎo)體器件的四個階段

①材料準備
②晶體生長與晶圓準備
③芯片制造
④封裝

6.問答題為什么要進行顯影后檢查？

參考答案：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來檢查光刻工藝的好壞，為光學(xué)光刻工藝生產(chǎn)人員提供用于糾正的信息...

7.問答題解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/a>

參考答案：載流子漂移（電流）和擴散（電流）過程保持平衡（相等），形成自建場和自建勢在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...

8.問答題簡述硅氣相外延的原理？

9.問答題如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？

參考答案：920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

10.填空題入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和（）碰撞。