注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />
最新試題
摻雜后退火時間一般在（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
光刻工藝的特點包括（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
光刻工藝的設備核心是（）。