摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。