厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）