Si襯底上熱氧化的機理由（）模型確定。氧化反應的快慢與三個因素有關，即：（）。氧化層厚度的理論計算公式為：式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。
最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
摻雜后退火時間一般在（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
CMP的設備構成包括（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。