微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.15)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題先進(jìn)的集成電路封裝設(shè)計(jì)有哪些？

參考答案：A.倒裝芯片
B.球柵陣列（BGA）
C.板上芯片（COB）
D.卷帶式自動鍵合（TAB）...

2.問答題簡述離子注入的優(yōu)缺點(diǎn)

參考答案：優(yōu)點(diǎn)：精確控制雜質(zhì)含量、很好的雜質(zhì)均勻性、對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制、產(chǎn)生單一離子束、低溫工藝、注入的離子能穿過薄膜、無...

3.問答題描述平板反應(yīng)器。

參考答案：首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，
然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，
最后進(jìn)行干法等...

4.判斷題LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。

5.名詞解釋厄利電壓

參考答案：反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對值。這是因?yàn)榛鶇^(qū)寬變效應(yīng)導(dǎo)致β隨Vce增大而增大，Ic隨...

6.填空題勢壘電容反映的是PN結(jié)的（）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢壘電容就越（）；外加反向電壓越高，則勢壘電容就越（）。

參考答案：微分；大；小

7.問答題CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些？

參考答案：1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
...

8.問答題后光刻時(shí)代有那些光刻新技術(shù)？

參考答案：浸入式光刻、納米壓印光刻、極紫外光刻（EUV）和無掩模(ML2)一起成為后光刻技術(shù)時(shí)代的候選技術(shù)。

9.填空題半導(dǎo)體集成電路是采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)，在硅基片上制作包括電阻、電容、（）、晶體管等元器件并具有某種電路功能的集成電路。

10.問答題CMOS集成電路版圖設(shè)計(jì)中，什么是有比例設(shè)計(jì)和無比例設(shè)計(jì)，對電學(xué)參數(shù)有哪些影響？

參考答案：用電路分別實(shí)現(xiàn)二輸入與非門：兩個N管為串聯(lián)，兩個P管為并聯(lián)；假設(shè)電路開關(guān)特性要求對稱，即：上升時(shí)間Tr等于下降時(shí)間Tf，...