微電子學章節(jié)練習(2019.05.13)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題在微電子學中的空間尺寸通常是以μm和（）為單位的。

2.問答題離子注入后進行退火工藝的原因是什么？

參考答案：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復；使雜質原子與硅原子間的共價...

3.填空題晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積

參考答案：功率增益；帶寬

4.問答題什么是集成電路設計？集成電路的設計方法有哪些？

參考答案：根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結構、工藝方案和設計規(guī)則的情況下，盡量減小芯片面積，降低設計...

5.填空題N溝道MOSFET的襯底是（）型半導體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導體，溝道中的載流子是（）。

參考答案：P；N；電子

6.問答題為什么刪氧要用熱生長？

參考答案：因為柵氧與其下的Si具有高質量和穩(wěn)定性的特點，柵氧一般通過熱生長獲得。

7.問答題解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問題？

參考答案：透鏡壓縮是透鏡材料結構上的重新排列導致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過區(qū)域的透鏡材料...

8.填空題N型半導體中電子是多子，空穴是（）。

9.問答題集成電路設計和分立電路設計相比，有哪些特點？

參考答案：①集成電路對設計正確性提出了更為嚴格的要求。
②集成電路外引出端的數(shù)目不可能與芯片內器件的數(shù)目同步增加，因此設...

10.名詞解釋擴散法（diffusion）

是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中，將雜質擴散到硅片內的一種方法。