光刻工藝的設備核心是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設備構成包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。