CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設備構成包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。