最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個?()
題型:多項選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項選擇題
厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。
題型:單項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型:判斷題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項選擇題