硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。