在半導(dǎo)體中加入微量的其他元素的原子,可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類(lèi)型。
當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長(zhǎng)度隨漏源電壓的變化而變化,從而漏電流略有增加。
溝道長(zhǎng)度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級(jí)物理效應(yīng),如閾值電壓的變化。