填空題N溝道MOSFET的襯底是()型半導(dǎo)體,源區(qū)和漏區(qū)是()型半導(dǎo)體,溝道中的載流子是()。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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