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填空題晶體管的高頻優(yōu)值M是（）與（）的乘積

1.填空題基區(qū)渡越時(shí)間是指（）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到原來(lái)的（）倍。

2.填空題隨著信號(hào)頻率的提高，晶體管的幅度會(huì)（），相角會(huì)（）。

3.填空題無(wú)源基區(qū)重?fù)诫s的目的是（）。

4.填空題基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（）全部占據(jù)時(shí)，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（）基區(qū)寬度、（）基區(qū)摻雜濃度。

5.填空題當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。