碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。