光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。