封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。