刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設備構成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點包括（）。