刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。