新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）