碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。