CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。