常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。