問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMP優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
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封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
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常壓的硅外延方法有()。
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下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題