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問答題
【簡答題】簡述熱擴散所需經(jīng)歷的步驟
答案：
•建立濃度差
•雜質(zhì)擴散至合適的結(jié)深
•雜質(zhì)與硅原子成鍵
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【簡答題】簡述擴散原理及滿足條件
答案：擴散是物質(zhì)的一個基本性質(zhì)，原子、分子和離子都會從高濃度向低濃度處進行擴散運動。
擴散運動需滿足兩個基本條件：<...
問答題
【簡答題】簡述摻雜工藝流程
答案：1）襯底清洗
2）生長掩蔽膜
3）對掩蔽膜進行光刻和刻蝕
問答題
【簡答題】簡述光刻膠的去除方法的三種？
答案：
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【簡答題】簡述干法刻蝕的應(yīng)用：氣體組成及作用？
答案：
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【簡答題】簡述刻蝕的要求
答案：1）圖形轉(zhuǎn)換的保真度高
指掩膜板上的圖形不失真地轉(zhuǎn)移到硅片表面
2）選擇比<...
問答題
【簡答題】簡述濕法和干法的定義與區(qū)別、特點？
答案：
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【簡答題】什么樣的光刻設(shè)備對應(yīng)的過程是怎樣的？
答案：
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【簡答題】簡述正性光刻和負性光刻的概念？優(yōu)缺點？
答案：•正性光刻是把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到晶圓上。
•負性光刻是把與掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)...
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【簡答題】光刻過程需要哪八大步驟？每個步驟的作用？
答案：