摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。