問(wèn)答題簡(jiǎn)述刻蝕的要求
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述濕法和干法的定義與區(qū)別、特點(diǎn)？
2.問(wèn)答題什么樣的光刻設(shè)備對(duì)應(yīng)的過(guò)程是怎樣的？
4.問(wèn)答題光刻過(guò)程需要哪八大步驟？每個(gè)步驟的作用？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻的主要參數(shù)
最新試題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題