濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。