CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。